概览
高压IGBT产品线，重点围绕650V与1200V双电压平台，覆盖从工业变频器到新能源汽车电驱的全场景需求：
· IGBT S系列产品： 超低的饱和压降，Vcesat ≤1.65V，显著降低导通损耗；强短路耐受，Tsc≥10μs，行业领先的短路耐受能力，为电机驱动及PTC应用提供安全屏障。
· IGBT H系列产品： 为开关频率优先场景量身定制的高效解决方案。高频低损，优化栅极电容设计，支持40~100kHz高频开关；Vcesat≥1.7V，平衡导通与开关损耗；适用于工业电源，储能等高频应用。
· IGBT T系列产品： 短路耐受基础保护，Tsc≥5μs ，适合非严苛环境，是满足基础需求的性价比之选。
通过平衡性能、成本与可靠性的IGBT产品方案，真茂佳持续输出中大功率领域性价比最优解。
